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問答題 施主濃度N_D=10¹⁶cm^-3的N-Si中，光注入非平衡載流子濃度Δn=Δp=10¹⁴cm^-3，計(jì)算無光照和有光照時的電導(dǎo)率。已知

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1.問答題某半導(dǎo)體材料的少子壽命τ=20μs，光照產(chǎn)生了非平衡載流子，試求光照突然停止10μs后，非平衡載流子將衰減到原來的百分之幾？

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2.問答題在一N-Ge樣品中，過剩載流子濃度為10¹⁴cm^-3，空穴壽命100μs，計(jì)算該樣品中空穴的復(fù)合率。

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3.問答題 473K時硅的求本征硅的電阻率ρ_i。

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4.問答題摻硼1.1×10¹⁶cm^-3和磷9×10¹⁵cm^-3的硅樣品，計(jì)算室溫下多子濃度和少子濃度。如果電子遷移率μ_n=1000cm²/v·s，空穴遷移率μ_p=360cm²/v·s，求電阻率。

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5.問答題設(shè)電子和空穴的遷移率分別為1350cm²/V·S和500cm²/V·S，試計(jì)算本征硅在300K下的電導(dǎo)率。當(dāng)摻入百萬分之一的砷后，設(shè)雜質(zhì)全部電離，計(jì)算其電導(dǎo)率，并將其與本征硅的電導(dǎo)率進(jìn)行比較。

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