問答題設電子和空穴的遷移率分別為1350cm2/V·S和500cm2/V·S，試計算本征硅在300K下的電導率。當摻入百萬分之一的砷后，設雜質(zhì)全部電離，計算其電導率，并將其與本征硅的電導率進行比較。
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當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
題型：單項選擇題
下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質(zhì)量的指標？（）
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封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
題型：單項選擇題
摻雜后，退火的目的是（）。
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化學機械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）
題型：單項選擇題
CMP的設備構成包括（）。
題型：多項選擇題
硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
題型：單項選擇題
光刻工藝對準誤差包括（）。
題型：多項選擇題
注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關？（）
題型：單項選擇題
厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。
題型：單項選擇題