下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）