光刻工藝的特點包括（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）