A.NAND2
B.AND2
C.INV
D.BUFFER
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A.開關(guān)電路完全由受輸入狀態(tài)控制的開關(guān)構(gòu)成
B.輸入高電平使開關(guān)接通，低電平使開關(guān)斷開
C.輸出通過開關(guān)連接電源和接地，獲取高電平或低電平
D.不能將開關(guān)電路中所有開關(guān)都接通
A.NMOS開關(guān)可用于輸出獲取高電平的連接
B.NMOS開關(guān)只用于輸出獲取低電平的連接
C.MOS開關(guān)良好導(dǎo)通時(shí)，G與S的狀態(tài)一定相反
D.MOS開關(guān)良好導(dǎo)通時(shí)，G與D的狀態(tài)可能相同
A.INV
B.NAND2
C.NOR3
D.AND2
A.
B.
C.
D.
A.
B.
C.
D.
最新試題
關(guān)于集成塊的輸出單元，下列說法中正確的是（）。
如圖，是151的電路設(shè)計(jì)，其中輸入端的使用了6個(gè)反相器，而實(shí)現(xiàn)邏輯功能應(yīng)該可以省掉三個(gè)，為什么這么設(shè)計(jì)（）。
?如圖所示電路論述正確的是（）。
若集成塊內(nèi)部為驅(qū)動(dòng)單元提供的驅(qū)動(dòng)能力為1X，最小反相器（1X）延遲時(shí)間為2，對(duì)于下圖所示的輸出緩沖設(shè)計(jì)（圖中反相器上面標(biāo)注了相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)能力），該輸出單元的延遲時(shí)間（從a到y(tǒng)）最接近于（）。
對(duì)于D觸發(fā)器，如果時(shí)鐘頻率為10MHz，輸出信號(hào)Q的頻率可能是（）MHz。
?BCD碼譯碼器如果不允許輸入大于9的數(shù)值的時(shí)候，當(dāng)輸入10時(shí)，輸出為（）。
?數(shù)字設(shè)計(jì)的層次主要有（）。
二進(jìn)制加法運(yùn)算包含的輸入、輸出變量有（）。
?若集成塊內(nèi)部為驅(qū)動(dòng)單元提供的驅(qū)動(dòng)能力為1X，對(duì)于下圖所示的輸出緩沖設(shè)計(jì)（圖中反相器上面標(biāo)注了相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)能力），該輸出單元的延遲時(shí)間（從a到y(tǒng)）相當(dāng)于（）個(gè)內(nèi)部標(biāo)準(zhǔn)門級(jí)聯(lián)的延遲時(shí)間。
要使CMOS門輸入高電平，不能使用的方法為（）。