列出并解釋替位雜質(zhì)在硅中的三種主要擴(kuò)散機(jī)制。

理想二極管模型在直流電路分析中誤差很大，因此不能使用。

在P 型半導(dǎo)體中，空穴濃度大于自由電子濃度。

自由電子帶負(fù)電，空穴帶正電。

點(diǎn)接觸型比面接觸型二極管的結(jié)電容面積小，因此其最高工作頻率低。

普通二極管是由PN 結(jié)引出電極封裝而成的。

淀積擴(kuò)散主要受哪些因素的控制？

在PN 結(jié)中，P 區(qū)的電勢比N 區(qū)高。

根據(jù)空位機(jī)制下的總擴(kuò)散系數(shù)公式，給出本征硅，低濃度摻雜，N型重?fù)诫s及P型重?fù)诫s下的擴(kuò)散系數(shù)公式。

舉例說明什么是同型摻雜和反型摻雜及各自的目的。