設(shè)計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

目前集成電路版圖設(shè)計的主流工具有哪些？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。

從設(shè)計的觀點出發(fā)，版圖設(shè)計規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點。

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

硅半導體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。