名詞解釋化學(xué)氣相沉積（CVD）
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.問(wèn)答題為什么多晶硅的干法刻蝕要采用氯基氣體而不是氟基氣體？
2.問(wèn)答題為什么0.25微米以下工藝的干法刻蝕需要高密度等離子體？
3.問(wèn)答題簡(jiǎn)述ULSI對(duì)刻蝕的要求。
4.問(wèn)答題刻蝕有哪些參數(shù)？
5.問(wèn)答題簡(jiǎn)述法刻蝕的優(yōu)缺點(diǎn)（與濕法刻蝕比）。
最新試題
規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么？
題型：?jiǎn)柎痤}
根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。
題型：?jiǎn)柎痤}
編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？
題型：?jiǎn)柎痤}
利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。
題型：?jiǎn)柎痤}
MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？
題型：?jiǎn)柎痤}
從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過(guò)（）等步驟。
題型：多項(xiàng)選擇題
集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？
題型：?jiǎn)柎痤}
設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS差分放大器電路，寫出其對(duì)應(yīng)的SPICE描述語(yǔ)句并作差模電流-電壓特性分析。
題型：?jiǎn)柎痤}
版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？
題型：?jiǎn)柎痤}
試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。
題型：?jiǎn)柎痤}