為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？

規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么？

由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱(chēng)為（）。

版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么？

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長(zhǎng)。

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動(dòng)能力。

20世紀(jì)上半葉對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻(xiàn)的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

MOS場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類(lèi)（）和（）。每種類(lèi)型可由各自器件的多數(shù)載流子來(lái)區(qū)別。