本征半導(dǎo)體導(dǎo)電性能很差。

在P 型半導(dǎo)體中，空穴濃度大于自由電子濃度。

若在直流電路中硅二極管導(dǎo)通，則其導(dǎo)通電壓均可認(rèn)為0.7V。

半導(dǎo)體獲得廣泛應(yīng)用的原因是（）

說明氧化氣氛對(duì)擴(kuò)散有何影響及原因？

在PN 結(jié)中，P 區(qū)的電勢比N 區(qū)高。

下列半導(dǎo)體材料熱敏特性突出的是（）

與多數(shù)載流子相比，少數(shù)載流子的濃度受溫度影響大。

試說明半導(dǎo)體制造中擴(kuò)散工藝的主要目的。列出并解釋實(shí)際擴(kuò)散工藝的主要步驟，并說明個(gè)步驟的主要作用和工藝溫度。

關(guān)于PN 結(jié)的導(dǎo)電，下列敘述不正確的是：（）