如圖所示，假設(shè)VTH0＝0.6V，γ=0.4V1/2，而2ϕF=0.7V。如果VX從－∞到0變化，畫出漏電流的曲線。
如圖所示的電路，畫出跨導(dǎo)對VDS的函數(shù)曲線。
以下兩圖屬于同類型存儲器單元。試回答以下問題：
同屬于現(xiàn)場可編程ROM（PROM），（a）為熔絲型PROM存儲單元；（b）為PN結(jié)擊穿PROM存儲單元。
最新試題
OED/ORD
普通二極管是由PN 結(jié)引出電極封裝而成的。
本征半導(dǎo)體導(dǎo)電性能很差。
薄層電阻
PN 結(jié)的單向?qū)щ娦耘c外加電壓頻率無關(guān)。
試說明半導(dǎo)體制造中擴散工藝的主要目的。列出并解釋實際擴散工藝的主要步驟，并說明個步驟的主要作用和工藝溫度。
漂移運動方向是從N 區(qū)到P 區(qū)。
下列半導(dǎo)體材料熱敏特性突出的是（）
發(fā)射區(qū)推進效應(yīng)
自由電子帶負電，空穴帶正電。
