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問答題

以下兩圖屬于同類型存儲器單元。試回答以下問題：

它們兩個都是哪一種類型存儲器單元？分別是什么類型的？

參考答案：

同屬于現(xiàn)場可編程ROM（PROM），（a）為熔絲型PROM存儲單元；（b）為PN結(jié)擊穿PROM存儲單元。

1.問答題給出一管單元DRAM的原理圖，并給出版圖。

2.問答題對1T DRAM，假設(shè)位線電容為1pF，位線預(yù)充電電壓為1.25V。在存儲數(shù)據(jù)為1和0時(shí)單元電容Cs（50fF）上的電壓分別等于1.9V和0V。這相當(dāng)于電荷傳遞速率為4.8%。求讀操作期間位線上的電壓擺幅。

3.問答題 給出三管DRAM的原理圖。并按圖中已給出的波形畫出X和BL1波形，并大致標(biāo)出電壓值。（選作）試問有什么辦法提高refresh time？

4.問答題試問單管DRAM單元的讀出是不是破壞性的？怎樣補(bǔ)充這一不足？（選作）有什么辦法提高refresh time？

5.問答題 給出單管DRAM的原理圖。并按圖中已給出的波形畫出X波形和BL波形，并大致標(biāo)出電壓值。