單項(xiàng)選擇題以下哪項(xiàng)不是STI工藝氣體？（）
A.SiH4
B.O2
C.N2O
D.Ar
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1.單項(xiàng)選擇題CMP清洗部分的順序是（）。
A.兆聲清洗（Meg）-SRD（甩干）-Brush（刷洗）
B.兆聲清洗（Meg）-Brush（刷洗）-SRD（甩干）
C.Brush（刷洗）-兆聲清洗（Meg）-SRD（甩干）
D.Brush（刷洗）-SRD（甩干）-兆聲清洗（Meg）
2.單項(xiàng)選擇題高電流注入機(jī)的掃描方式為（）。
A.靜電掃描
B.機(jī)械掃描
C.靜電掃描與機(jī)械掃描結(jié)合
3.單項(xiàng)選擇題下列選項(xiàng)屬于BF3的特性的是（）
A.黃色標(biāo)識(shí)，有白煙
B.紅色標(biāo)識(shí)，臭大蒜味道
C.黑色標(biāo)識(shí)，無(wú)色大蒜味
4.單項(xiàng)選擇題離子注入機(jī)機(jī)架外殼和高壓放電棒接地電阻小于（）。
A.1Ω
B.5Ω
C.10Ω
最新試題
在近十年由于材料和設(shè)備的發(fā)展，同時(shí)伴隨電子產(chǎn)品功能的日益增強(qiáng)，（）再次來(lái)到大眾視線
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
常規(guī)芯片封裝生產(chǎn)過(guò)程包括粘裝和引線鍵合兩個(gè)工序，而倒裝芯片則合二為一。
題型：判斷題
使用3D封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)40～50倍的成品尺寸和重量的減少。
題型：判斷題
QFP的結(jié)構(gòu)形式因帶有引線框（L/F），對(duì)設(shè)定的電性能無(wú)法調(diào)整，而B(niǎo)GA可以通過(guò)芯片片基結(jié)構(gòu)的變更，得到所需的電性能。
題型：判斷題
以下不屬于打碼目的的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列屬于BGAA形式的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
引線鍵合的參數(shù)主要包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
根據(jù)焊點(diǎn)的形狀，引線鍵合有兩種形式，分別是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
下面選項(xiàng)中硅片減薄技術(shù)正確的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
WLCSP技術(shù)最根本的優(yōu)點(diǎn)是IC到PCB之間的電感很大。
題型：判斷題