單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中規(guī)定高度應在磚的兩個（）的中間處分別測量兩個尺寸。當被測處有缺損或凸出時，可在其旁邊測量，但應選擇不利的一側。精確至（）。
A、大面1mm
B、條面1mm
C、大面0.5mm
D、條面0.5mm
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中規(guī)定寬度應在磚的兩個（）的中間處分別測量兩個尺寸。當被測處有缺損或凸出時，可在其旁邊測量，但應選擇不利的一側。精確至（）。
A、大面.1mm
B、條面.1mm
C、大面.0.5mm
D、條面.0.5mm
2.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中規(guī)定長度應在磚的兩個（）的中間處分別測量兩個尺寸。當被測處有缺損或凸出時，可在其旁邊測量，但應選擇不利的一側。精確至（）。
A、大面.1mm
B、條面.1mm
C、大面.0.5mm
D、條面.0.5mm
3.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標準中尺寸測量的量具應為（）。
A、游標卡尺
B、直尺
C、卷尺
D、磚用卡尺
4.問答題裝飾塑料制品的種類有哪些？其用途如何？
5.問答題簡述裝飾涂料的主要技術性質。
6.問答題試述裝飾涂料的主要組成及其作用。
10.問答題裝飾材料的性能要求有哪些？如何選用裝飾材料？
最新試題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：單項選擇題
對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。
題型：單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題
最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結構。
題型：單項選擇題
一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題
PN結的基本特性是（）
題型：單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項選擇題