雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中，當溫度升高時，電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

PN結的基本特性是（）

載流子的擴散運動產生擴散電流，漂移運動產生（）電流。

對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結會產生光生伏特效應。

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

下列哪個不是單晶常用的晶向（）