單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中抗壓強(qiáng)度試驗(yàn)的材料試驗(yàn)機(jī)示值相對(duì)誤差不大于（）。
A、±1%
B、±0.5%
C、±1.5%
D、±2%
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1.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中抗壓強(qiáng)度試驗(yàn)的材料試驗(yàn)機(jī)預(yù)期最大破壞荷載應(yīng)在量程的（）之間。
A、10%～80%
B、20%～80%
C、10%～90%
D、20%～90%
2.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中抗折強(qiáng)度精確至（），抗壓強(qiáng)度精確至（）。
A、0.1MPa，0.01MPa
B、0.01MPa，0.1MPa
C、0.01MPa，0.01MPa
D、0.1MPa，0.1MPa
3.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中做抗折強(qiáng)度試驗(yàn)時(shí)，應(yīng)以（）N/s的速度均勻加荷直至試件斷裂。
A、50
B、150
C、50或150
D、50～150
4.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中抗折強(qiáng)度試驗(yàn)的抗折夾具下支輥的跨距為磚規(guī)格長度減去（），但規(guī)格長度為190mm的磚，其跨距為（）。
A、40mm170mm
B、40mm160mm
C、30mm170mm
D、30mm160mm
5.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中抗折強(qiáng)度試驗(yàn)的磚樣應(yīng)進(jìn)行處理，處理方式為將非燒結(jié)磚放入（）的水中浸泡（）后取出，用濕布拭去其表面水分，再進(jìn)行抗折試驗(yàn)。
A、（20±5）℃48h
B、（20±5）℃24h
C、（20±10）℃48h
D、（20±10）℃24h
最新試題
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型：單項(xiàng)選擇題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
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最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
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屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
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下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）
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題型：單項(xiàng)選擇題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢的現(xiàn)象稱（）
題型：單項(xiàng)選擇題