A、40mm170mm
B、40mm160mm
C、30mm170mm
D、30mm160mm
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A、(20±5)℃48h
B、(20±5)℃24h
C、(20±10)℃48h
D、(20±10)℃24h
A、10mm
B、15mm
C、20mm
D、25mm
A、10%~80%
B、20%~80%
C、10%~90%
D、20%~90%
A、±1%
B、±0.5%
C、±1.5%
D、±2%
A、最長裂紋
B、最短裂紋
C、裂紋長度平均值
D、裂紋長度總和
A、大面1mm
B、條面1mm
C、大面0.5mm
D、條面0.5mm
A、大面.1mm
B、條面.1mm
C、大面.0.5mm
D、條面.0.5mm
A、大面.1mm
B、條面.1mm
C、大面.0.5mm
D、條面.0.5mm
A、游標卡尺
B、直尺
C、卷尺
D、磚用卡尺
最新試題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下,產生().使材料的電學性質發(fā)生變化。通過測量電學性質的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
下列是晶體的是()。
載流子的擴散運動產生擴散電流,漂移運動產生()電流。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
影響單晶內雜質數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質的種類和含量;②雜質的分凝效應;③雜質的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污;⑤加入雜質量;