A、100mm×100mm×100mm.2組
B、100mm×100mm×100mm.3組
C、100mm×100mm×300mm.2組
D、100mm×100mm×400mm.2組
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A、20±5
B、20±3
C、30±3
D、40±5
A、1.2
B、2.4
C、3.6
D、1.5.3
A、55±5
B、40±5
C、80±5
D、90±5
A、100mm×100mm×100mm.5組
B、100mm×100mm×300mm.5組
C、100mm×100mm×400mm.5組
D、100mm×100mm×100mm.1組
A、5
B、10
C、15
D、20
最新試題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動產(chǎn)生()電流。
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時,該表面態(tài)為();