A、0.5%
B、1%
C、2%
D、5%
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A、洛氏硬度
B、布氏硬度
C、維氏硬度
D、通用硬度
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C、維氏硬度
D、通用硬度
A、設(shè)計(jì)圖
B、產(chǎn)品質(zhì)保書(shū)
C、合同約定內(nèi)容
D、根據(jù)錨固方式查表
A、用于夾持15根φ7的夾頭
B、用于夾持15根φ7的錨具
C、用于夾持7根φ15的夾頭
D、用于夾持7根φ15的錨具
A、效率系數(shù)
B、比例系數(shù)
C、標(biāo)準(zhǔn)差
D、誤差
最新試題
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；
可用作硅片的研磨材料是（）
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱（）
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的（）。
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）