A、實(shí)測(cè)極限抗拉強(qiáng)度
B、實(shí)測(cè)極限抗拉強(qiáng)度的80%
C、抗拉強(qiáng)度標(biāo)準(zhǔn)值
D、抗拉強(qiáng)度標(biāo)準(zhǔn)值的80%
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A、60分鐘
B、120分鐘
C、240分鐘
D、480分鐘
A、10%,30%,50%,70%
B、20%,40%,60%,80%
C、10%,50%,70%,85%
D、30%,50%,70%,90%
A、1%
B、0.5%
C、0.2%
D、0.1%
A、0.5%
B、1%
C、2%
D、5%
A、洛氏硬度
B、布氏硬度
C、維氏硬度
D、通用硬度
最新試題
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見的是少子陷阱。
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
PN結(jié)的基本特性是()
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()