單項(xiàng)選擇題夾片式錨具在張拉達(dá)到預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度標(biāo)準(zhǔn)值的多少之前不得出現(xiàn)裂紋（）
A、80%
B、95%
C、98%
D、100%
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1.單項(xiàng)選擇題當(dāng)采用錐塞式錨具時(shí)，錨具變形和預(yù)應(yīng)力筋內(nèi)縮值的限值為（）
A、1mm
B、3mm
C、5mm
D、7mm
2.單項(xiàng)選擇題采用鋼絲束鐓頭錨具時(shí)，錨具變形和預(yù)應(yīng)力筋內(nèi)縮值的限值為（）
A、1mm
B、3mm
C、5mm
D、7mm
3.單項(xiàng)選擇題采用有頂壓的夾片式錨具時(shí)，錨具變形和預(yù)應(yīng)力筋內(nèi)縮值的限值為（）
A、1mm
B、3mm
C、5mm
D、7mm
4.單項(xiàng)選擇題用于承受錨具傳來的預(yù)加力并傳遞給混凝土的部件叫（）
A、錨環(huán)
B、夾片
C、錨固節(jié)點(diǎn)
D、錨墊板
5.單項(xiàng)選擇題張拉設(shè)備應(yīng)定期標(biāo)定，標(biāo)定期不大于（）
A、兩個(gè)月
B、三個(gè)月
C、半年
D、一年
最新試題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）
題型：單項(xiàng)選擇題
下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項(xiàng)選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項(xiàng)選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢的現(xiàn)象稱（）
題型：單項(xiàng)選擇題