熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。

那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；