熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中，當溫度升高時，電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

載流子的擴散運動產生擴散電流，漂移運動產生（）電流。

可用作硅片的研磨材料是（）

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）