多項(xiàng)選擇題硅灰作為砼活性摻合料應(yīng)控制的主要質(zhì)量指標(biāo)包括（）。
A、二氧化硅含量
B、比表面積
C、游離氧化鈣含量
D、三氧化硫含量
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1.多項(xiàng)選擇題以下選項(xiàng)材料中，常用來作為砼活性礦物摻合料的有（）。
A、爐渣
B、硅灰
C、磨細(xì)石灰石粉
D、?；郀t礦渣粉
2.多項(xiàng)選擇題砼質(zhì)量控制時(shí)，人工砂質(zhì)量主要控制項(xiàng)目除顆粒級配、細(xì)度模數(shù)、含泥量、泥塊含量、堅(jiān)固性等指標(biāo)外，尚應(yīng)包括（）指標(biāo)。
A、石粉含量
B、氯離子含量
C、有害物質(zhì)含量
D、壓碎指標(biāo)值
3.多項(xiàng)選擇題粗骨料最大公稱直徑往往受制于以下（）因素。
A、構(gòu)件截面最小尺寸
B、水泥品種
C、建筑規(guī)模
D、鋼筋最小間距
4.多項(xiàng)選擇題砼質(zhì)量控制時(shí)，粗骨料主要控制項(xiàng)目有（）。
A、針片狀顆粒含量
B、顆粒級配
C、含泥量
D、表觀密度
5.多項(xiàng)選擇題以下選項(xiàng)的水泥屬于通用水泥的有（）。
A、復(fù)合水泥
B、砌筑水泥
C、普通水泥
D、白色水泥
最新試題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢的現(xiàn)象稱（）
題型：單項(xiàng)選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項(xiàng)選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項(xiàng)選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
題型：單項(xiàng)選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項(xiàng)選擇題
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項(xiàng)選擇題