多項選擇題以下選項材料中，常用來作為砼活性礦物摻合料的有（）。
A、爐渣
B、硅灰
C、磨細(xì)石灰石粉
D、?；郀t礦渣粉
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.多項選擇題砼質(zhì)量控制時，人工砂質(zhì)量主要控制項目除顆粒級配、細(xì)度模數(shù)、含泥量、泥塊含量、堅固性等指標(biāo)外，尚應(yīng)包括（）指標(biāo)。
A、石粉含量
B、氯離子含量
C、有害物質(zhì)含量
D、壓碎指標(biāo)值
2.多項選擇題粗骨料最大公稱直徑往往受制于以下（）因素。
A、構(gòu)件截面最小尺寸
B、水泥品種
C、建筑規(guī)模
D、鋼筋最小間距
3.多項選擇題砼質(zhì)量控制時，粗骨料主要控制項目有（）。
A、針片狀顆粒含量
B、顆粒級配
C、含泥量
D、表觀密度
4.多項選擇題以下選項的水泥屬于通用水泥的有（）。
A、復(fù)合水泥
B、砌筑水泥
C、普通水泥
D、白色水泥
5.多項選擇題砼質(zhì)量控制時，水泥質(zhì)量主要控制項目包括（）。
A、安定性
B、膠砂強(qiáng)度
C、細(xì)度
D、凝結(jié)時間
最新試題
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項選擇題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
題型：單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項選擇題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項選擇題
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動產(chǎn)生（）電流。
題型：單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：單項選擇題