A、線性回歸方法
B、繪圖擬合方法
C、A、B兩種方法均可
D、A、B兩種方法均不可
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A、砂漿一次分別裝入三個試驗筒中,做三個試驗
B、采用振動臺振實時,振動應持續(xù)到表面出漿為止,不得過振
C、同一試驗,整個貫入過程應保持用同一貫入面積的測針
D、以貫入阻力28MPa時不能在試樣表面壓下痕印作為達到砼終凝狀態(tài)
A、砼初凝時間以貫入阻力為3.5MPa時的時間
B、砼初凝時間以貫入阻力為0時的時間
C、砼終凝時間以貫入儀全量程壓力不能貫入到規(guī)定深度的時間
D、砼終凝時間以貫入阻力為28MPa時的時間
A、水泥性能
B、外加劑性能
C、粗骨料最大粒徑
D、環(huán)境溫度
A、從水泥與水拌合接觸的瞬間開始計時
B、從砂漿試驗筒裝料搗實的瞬間開始計時
C、從拌合物攪拌完成的瞬間開始計時
D、從首次貫入施加阻力的同時開始計時
A、可以是手動的,也可以是自動的
B、砂漿試樣筒是一個桶高150mm的木制圓筒
C、主要由加荷裝置、測針、砂漿試樣筒和標準篩組成
D、加荷裝置最大可以施加2000kN的試驗壓力
最新試題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
可用作硅片的研磨材料是()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
硅片拋光在原理上不可分為()
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應;③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()