A、邊長100mm的C40級砼加荷速度取每秒5.0~8.0kN
B、邊長150mm的C70級砼加荷速度取每秒18.0~22.5kN
C、邊長200mm的C20級砼加荷速度取每秒12.0~20.0kN
D、邊長200mm的C40級砼加荷速度取每秒20.0~32.0kN
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A、<C30強度等級的砼加荷速度取每秒6.75~11.25kN
B、≥C30且<C60強度等級的砼加荷速度取每秒11.25~18.00kN
C、≥C60強度等級的砼加荷速度取每秒18.00~22.50kN
A、<C30強度等級的砼加荷速度取每秒0.3~0.5MPa
B、≥C30且<C60強度等級的砼加荷速度取每秒0.5~0.8MPa
C、≥C60強度等級的砼加荷速度取每秒0.8~1.0MPa
D、強度等級越高,加荷速度應越小
A、試件拆模時間
B、試件移入標準養(yǎng)護室時間
C、拌合物攪拌加水時間
D、拌合物拌制完成時間
A、溫度20±2℃、相對濕度95%以上的恒溫、恒濕環(huán)境
B、室內陰涼場所
C、結構或構件鄰近區(qū)域砂堆中
D、遮陽的屋檐下
A、溫度20±2℃、相對濕度95%以上的室內
B、溫度20±2℃的不流動的Ca(OH)2飽和溶液中
C、溫度20±2℃的清水中
D、溫度20±2℃的不流動的醋酸溶液中
最新試題
如果雜質既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質稱為()。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
在通常情況下,GaN呈()型結構。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
最有效的復合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。