A、試件承壓面
B、試驗(yàn)機(jī)壓板面
C、試件底面
D、試件劈裂面
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A、3個(gè)彈性模量試驗(yàn)試件中,有2個(gè)試件的軸心抗壓強(qiáng)度值與用以確定試驗(yàn)控制荷載的軸心抗壓強(qiáng)度值的差值超過后者的20%時(shí),此次試驗(yàn)的結(jié)果無效。
B、把3個(gè)試件測值的算術(shù)平均值作為該組試件的彈性模量值總是無誤的。
C、3個(gè)彈性模量試驗(yàn)試件中,有2個(gè)試件的軸心抗壓強(qiáng)度值與用以確定試驗(yàn)控制荷載的軸心抗壓強(qiáng)度值的差值超過后者的15%時(shí),此次試驗(yàn)的結(jié)果無效。
D、3個(gè)彈性模量試驗(yàn)試件中,僅有1個(gè)試件的軸心抗壓強(qiáng)度值與用以確定試驗(yàn)控制荷載的軸心抗壓強(qiáng)度值的差值超過后者的20%時(shí),則按另2個(gè)試件的彈性模量測值的算術(shù)平均值作為該組試件的彈性模量值。
A、<C30強(qiáng)度等級(jí)的砼卸荷速度取每秒0.3~0.5MPa
B、≥C30且<C60強(qiáng)度等級(jí)的砼卸荷速度取每秒0.5~0.8MPa
C、≥C60強(qiáng)度等級(jí)的砼卸荷速度取每秒0.8~1.0MPa
D、A、B、C選項(xiàng)都對(duì)
最新試題
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
PN結(jié)的基本特性是()
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()