A、<C30強度等級的砼卸荷速度取每秒0.3~0.5MPa
B、≥C30且<C60強度等級的砼卸荷速度取每秒0.5~0.8MPa
C、≥C60強度等級的砼卸荷速度取每秒0.8~1.0MPa
D、A、B、C選項都對
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A、<C30強度等級的砼加荷速度取每秒0.3~0.5MPa
B、≥C30且<C60強度等級的砼加荷速度取每秒0.5~0.8MPa
C、≥C60強度等級的砼加荷速度取每秒0.8~1.0MPa
D、A、B、C選項都對
A、基準(zhǔn)應(yīng)力為3.3MPa,控制應(yīng)力為11.0MPa
B、基準(zhǔn)應(yīng)力為3.3MPa,控制應(yīng)力為33.0MPa
C、基準(zhǔn)應(yīng)力為0.5MPa,控制應(yīng)力為11.0MPa
D、基準(zhǔn)應(yīng)力為0.5MPa,基準(zhǔn)應(yīng)力為33.0MPa
A、變形測量儀應(yīng)安裝于試件一側(cè)
B、變形測量儀應(yīng)安裝在垂直于試件承壓面的4條棱上
C、變形測量儀應(yīng)安裝于試件兩側(cè)的中線上并對稱于試件的兩端
D、變形測量儀應(yīng)安裝于試件兩個承壓面上,承壓面應(yīng)預(yù)先開好安裝槽
A、每次試驗應(yīng)制備6個試件
B、每次試驗的6個試件,3個用于進(jìn)行軸心抗壓強度試驗,另3個用于測定彈性模量
C、每次試驗的6個試件都是用于測定彈性模量,因為標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定靜力受壓彈性模量試驗是6個試件為一組
D、每次試驗的6個試件,1個用于進(jìn)行軸心抗壓強度試驗,另5個用于測定彈性模量
A、小于C60強度等級的100×100×300mm棱柱體試件為1.05
B、小于C60強度等級的100×100×300mm棱柱體試件為0.95
C、小于C60強度等級的200×200×400mm棱柱體試件為0.95
D、小于C60強度等級的200×200×400mm棱柱體試件為1.05
最新試題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
改良西門子法的顯著特點不包括()
PN結(jié)的基本特性是()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()