A、棱柱體抗壓強度試驗方法
B、立方體抗壓強度試驗方法
C、圓球體抗壓強度試驗方法
D、圓柱體抗壓強度試驗方法
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A、3個彈性模量試驗試件中,有2個試件的軸心抗壓強度值與用以確定試驗控制荷載的軸心抗壓強度值的差值超過后者的20%時,此次試驗的結果無效。
B、把3個試件測值的算術平均值作為該組試件的彈性模量值總是無誤的。
C、3個彈性模量試驗試件中,有2個試件的軸心抗壓強度值與用以確定試驗控制荷載的軸心抗壓強度值的差值超過后者的15%時,此次試驗的結果無效。
D、3個彈性模量試驗試件中,僅有1個試件的軸心抗壓強度值與用以確定試驗控制荷載的軸心抗壓強度值的差值超過后者的20%時,則按另2個試件的彈性模量測值的算術平均值作為該組試件的彈性模量值。
A、<C30強度等級的砼卸荷速度取每秒0.3~0.5MPa
B、≥C30且<C60強度等級的砼卸荷速度取每秒0.5~0.8MPa
C、≥C60強度等級的砼卸荷速度取每秒0.8~1.0MPa
D、A、B、C選項都對
A、<C30強度等級的砼加荷速度取每秒0.3~0.5MPa
B、≥C30且<C60強度等級的砼加荷速度取每秒0.5~0.8MPa
C、≥C60強度等級的砼加荷速度取每秒0.8~1.0MPa
D、A、B、C選項都對
A、基準應力為3.3MPa,控制應力為11.0MPa
B、基準應力為3.3MPa,控制應力為33.0MPa
C、基準應力為0.5MPa,控制應力為11.0MPa
D、基準應力為0.5MPa,基準應力為33.0MPa
A、變形測量儀應安裝于試件一側
B、變形測量儀應安裝在垂直于試件承壓面的4條棱上
C、變形測量儀應安裝于試件兩側的中線上并對稱于試件的兩端
D、變形測量儀應安裝于試件兩個承壓面上,承壓面應預先開好安裝槽
最新試題
與半導體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量()
如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
下列是晶體的是()。
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下,產生().使材料的電學性質發(fā)生變化。通過測量電學性質的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
多晶硅的生產方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
改良西門子法的顯著特點不包括()