A、<C30強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.02~0.05MPa
B、≥C30且<C60強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.05~0.08MPa
C、≥C60強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.08~0.10MPa
D、A、B、C選項(xiàng)都不對
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A、小于C60強(qiáng)度等級的邊長100mm試件為0.95
B、小于C60強(qiáng)度等級的邊長200mm試件為1.05
C、小于C60強(qiáng)度等級的邊長100mm試件為0.85
D、不小于C60強(qiáng)度等級的砼應(yīng)由試驗(yàn)確定
A、同組3個試件測值中,最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的15%時,該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無效。
B、同組3個試件測值中,最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的10%時,該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無效。
C、同組3個試件測值中,最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的20%時,該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無效。
D、不總是能把同組3個試件測值的算術(shù)平均值作為該組試件的劈裂抗拉強(qiáng)度值。
A、邊長100mm的C20級砼加荷速度取每秒0.2~0.5kN
B、邊長100mm的C40級砼加荷速度取每秒0.5~0.8kN
C、邊長100mm的C70級砼加荷速度取每秒0.8~1.0kN
D、邊長150mm的C70級砼加荷速度取每秒1.8~2.25kN
A、<C30強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.3~0.5MPa
B、<C30強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.02~0.05MPa
C、≥C60強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.8~1.0MPa
D、≥C60強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.08~0.10MPa
A、試件承壓面
B、試驗(yàn)機(jī)壓板面
C、試件底面
D、試件劈裂面
最新試題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時,該表面態(tài)為();
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
硅片拋光在原理上不可分為()
可用作硅片的研磨材料是()
下列是晶體的是()。