多項選擇題快凍法砼抗凍試驗試件的形狀,不正確的有()。
A、立方體
B、棱柱體
C、圓柱體
D、圓球體
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.多項選擇題慢凍法砼抗凍試驗試件的形狀,不正確的有()。
A、立方體
B、棱柱體
C、圓柱體
D、圓球體
2.多項選擇題快凍法砼抗凍試驗試件的凍融介質(zhì),不正確的有()。
A、水凍水融
B、氣凍氣融
C、氣凍水融
D、水凍氣融
3.多項選擇題慢凍法砼抗凍試驗試件的凍融介質(zhì),不正確的有()。
A、水凍水融
B、氣凍氣融
C、氣凍水融
D、水凍氣融
4.多項選擇題《普通砼長期性能和耐久性能試驗方法標準》GB/T50082-2009標準抗凍試驗的試驗方法有()。
A、單面凍融法
B、慢凍法
C、雙面凍融法
D、快凍法
5.多項選擇題對100×100×400mm的砼抗折非標準試件,其強度值尺寸換算系數(shù)正確的有()。
A、小于C60強度等級時為0.95
B、小于C60強度等級時為1.05
C、小于C60強度等級時為0.85
D、不小于C60強度等級時應由試驗確定
最新試題
改良西門子法的顯著特點不包括()
題型:單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為()
題型:單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
題型:單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
題型:單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
題型:多項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向()
題型:單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是()
題型:單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
題型:單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
題型:單項選擇題
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應。
題型:單項選擇題