A、立方體
B、棱柱體
C、圓柱體
D、圓球體
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A、水凍水融
B、氣凍氣融
C、氣凍水融
D、水凍氣融
A、水凍水融
B、氣凍氣融
C、氣凍水融
D、水凍氣融
A、單面凍融法
B、慢凍法
C、雙面凍融法
D、快凍法
A、小于C60強度等級時為0.95
B、小于C60強度等級時為1.05
C、小于C60強度等級時為0.85
D、不小于C60強度等級時應由試驗確定
A、試驗能否得到有效結果，尚需視折斷面在試件中所處位置而定。
B、同組3個試件測值中，最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的10%時，該組試件的試驗結果無效。
C、同組3個試件測值中，最大值或最小值如有1個且僅有1個與中間值的差值超過中間值的15%時，取中間值作為該組試件的抗折強度值。
D、不總是能把同組3個試件測值的算術平均值作為該組試件的抗折強度值。
最新試題
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
下列哪個不是單晶常用的晶向（）