多項選擇題蒸壓加氣混凝土砌塊標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了蒸壓加氣混凝土砌塊的術(shù)語和定義、產(chǎn)品分類、（）及產(chǎn)品質(zhì)量說明書、堆放、運(yùn)輸。
A、原材料
B、要求
C、檢驗方法
D、檢驗規(guī)則
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1.多項選擇題蒸壓加氣混凝土砌塊的強(qiáng)度級別有：A2.5、A3.5、A5.0、A7.5、A10、（）七個級別。
A、A1.0
B、A2.0
C、A15
D、A20
2.多項選擇題蒸壓加氣混凝土砌塊干密度級別有：B04、B05、B06、B07（）六個級別。
A、B02
B、B03
C、B08
D、B09
3.多項選擇題蒸壓加氣混凝土砌塊的檢驗分為（）。
A、出廠檢驗
B、型式檢驗
C、現(xiàn)場檢驗
D、見證檢驗
4.多項選擇題蒸壓加氣混凝土砌塊出廠檢驗的項目包括（）。
A、尺寸偏差
B、外觀質(zhì)量
C、立方體抗壓強(qiáng)度
D、干密度
5.多項選擇題粉煤灰磚標(biāo)準(zhǔn)適用于以（）為主要原料的實(shí)心粉煤灰磚。
A、粉煤灰
B、石灰
C、水泥
D、粘土
最新試題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
題型：單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項選擇題
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動產(chǎn)生（）電流。
題型：單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項選擇題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題