A.聚乙烯膜
B.聚酯膜
C.細(xì)砂
D.無膜雙面自粘
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A.2.0mm
B.3.0mm
C.4.0mm
D.1.5mm
A.拉伸性能尺寸(縱向×橫向)100×25(mm),縱橫各5個(gè)
B.耐熱性(縱向×橫向)100×50(mm),3個(gè)
C.低溫柔性(縱向×橫向)150×25(mm),10個(gè)
D.不透水性150×150mm,3個(gè)
A.最大拉力單位為N/50mm,對(duì)應(yīng)的延伸率用百分比表示
B.分別記錄每個(gè)方向5個(gè)試件的拉力值和延伸率,計(jì)算平均值
C.拉力的平均值修約到5N,延伸率修約到1%
D.拉力的平均值修約到1N,延伸率修約到0.1%
A.JF1
B.JL1
C.FF
D.FS2
A.3mm、4mm、5mm厚度卷材彎曲直徑均為50mm
B.3mm、4mm厚度卷材彎曲直徑為30mm,5mm厚度卷材彎曲直徑為50mm
C.3mm厚度卷材彎曲直徑為30mm,4mm、5mm厚度卷材彎曲直徑均為50mm
D.3mm、4mm、5mm厚度卷材彎曲直徑均為30mm
最新試題
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
PN結(jié)的基本特性是()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
硅片拋光在原理上不可分為()
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()
下列是晶體的是()。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。