多項選擇題關(guān)于N類卷材拉伸試驗描述下列正確的是()。
A.夾具間距為50mm
B.瀝青斷裂延伸率為試件瀝青層出現(xiàn)孔洞、裂口時的斷裂延伸率
C.取五個試件的平均值,拉力單位為N/50mm
D.夾具間距為200mm
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你可能感興趣的試題
1.多項選擇題不透水試驗采用七孔板的是()。
A.PET
B.PYⅠ
C.PE
D.PYⅡ
2.多項選擇題不透水試驗采用十字開縫板的是()。
A.PET
B.PYⅠ
C.PE
D.PYⅡ
3.多項選擇題N類按上表面材料分為()。
A.聚乙烯膜
B.聚酯膜
C.細(xì)砂
D.無膜雙面自粘
4.多項選擇題PY類產(chǎn)品的厚度有()。
A.2.0mm
B.3.0mm
C.4.0mm
D.1.5mm
5.多項選擇題以下關(guān)于N類卷材試件制備尺寸與數(shù)量描述正確的是()。
A.拉伸性能尺寸(縱向×橫向)100×25(mm),縱橫各5個
B.耐熱性(縱向×橫向)100×50(mm),3個
C.低溫柔性(縱向×橫向)150×25(mm),10個
D.不透水性150×150mm,3個
最新試題
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
題型:單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型:單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
題型:單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
題型:單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
題型:單項選擇題
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
題型:單項選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
題型:單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
題型:單項選擇題
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
題型:單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
題型:單項選擇題