封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

光刻工藝的特點包括（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

常壓的硅外延方法有（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。