下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

常壓的硅外延方法有（）。