下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

光刻工藝的特點包括（）。

鳥嘴效應造成的不良影響有（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。