芯片粘接的工藝過(guò)程包括（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

常壓的硅外延方法有（）。

刻蝕過(guò)程中聚合物形成的來(lái)源有（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過(guò)程中的主要污染物？（）

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）