TEM觀測與SEM相同，對(duì)樣品厚度沒有要求。

半導(dǎo)體中的價(jià)帶空穴電流其實(shí)就是導(dǎo)帶電子電流的一種等價(jià)說法。

內(nèi)光電效應(yīng)

MBE只能用于III-V族化合物的生長。

所謂n溝道MOS管指的是它的基底是n型半導(dǎo)體。

半導(dǎo)體鍍膜通常在真空中進(jìn)行是為了減少雜質(zhì)沉積的干擾。

光電導(dǎo)效應(yīng)

光生伏特效應(yīng)

AlAs的禁帶寬度比GaAs大，晶格常數(shù)也更大。

有A和B兩種單質(zhì)晶體，我們知道A的晶格常數(shù)是5Å，帶隙是1.2eV，B的晶格常數(shù)是4Å，其帶隙有可能是（）eV