從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過(guò)（）等步驟。

由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱(chēng)為（）。

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

編寫(xiě)DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請(qǐng)畫(huà)出Id2的大致變化，并說(shuō)明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

由于襯底材料的緣故會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生電容，這種電容稱(chēng)為（）。

MOS場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類(lèi)（）和（）。每種類(lèi)型可由各自器件的多數(shù)載流子來(lái)區(qū)別。

BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動(dòng)能力。

20世紀(jì)上半葉對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻(xiàn)的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。