在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

硅半導體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

MOS場效應管（MOSFET）在20世紀70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

由硅片生產(chǎn)的半導體產(chǎn)品，又被稱為（）。

把半導體級硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

版圖設(shè)計的基本前提是什么？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。