利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

根據圖，給出M2管的漏極電流表達式。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

設計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

由硅片生產的半導體產品，又被稱為（）。

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點。

20世紀上半葉對半導體產業(yè)量展做出貢獻的4種不同產業(yè)主要是（）。

把半導體級硅的多晶硅塊，轉換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

集成電容主要有幾種結構？