由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？

規(guī)定版圖幾何設(shè)計規(guī)則的意義是什么？

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？