問(wèn)答題簡(jiǎn)述兩步擴(kuò)散的含義與目的?
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材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類()。
題型:多項(xiàng)選擇題
在圖中,若所有的晶體管都工作在飽和區(qū),求M4的漏電流。
題型:?jiǎn)柎痤}
由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品,又被稱為()。
題型:多項(xiàng)選擇題
半導(dǎo)體工藝技術(shù)中,器件互連材料通常包括()等。
題型:多項(xiàng)選擇題
從設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)出發(fā),版圖設(shè)計(jì)規(guī)則應(yīng)包括哪些部分?
題型:?jiǎn)柎痤}
MOS器件按比例縮小后對(duì)器件特性有什么影響?
題型:?jiǎn)柎痤}
利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管,已知Cox=5×10-4pF/μm2,估算柵極電容。
題型:?jiǎn)柎痤}
根據(jù)圖,給出M2管的漏極電流表達(dá)式。
題型:?jiǎn)柎痤}
版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么?
題型:?jiǎn)柎痤}
版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么?
題型:?jiǎn)柎痤}