只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

下列是晶體的是（）。 

光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。  

把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶穑瑫械〈糠值牧?，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。