下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

硅片拋光在原理上不可分為（）

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）