下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

可用作硅片的研磨材料是（）

硅片拋光在原理上不可分為（）

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）