下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。  

改良西門子法的顯著特點不包括（）

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應。

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）